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En la Universidad Cornell han fabricado un transistor sumamente eficiente hecho de un material que pronto podría reemplazar al silicio como el rey de los semiconductores para las aplicaciones que requieren una alta potencia.


(NC&T) Junxia Shi, especialista en el laboratorio de Lester Eastman, ha desarrollado el dispositivo basado en el nitruro de galio que podría formar la base para la circuitería en productos que van desde los ordenadores portátiles hasta los vehículos híbridos, pasando por muchos otros sistemas electrónicos de alta potencia.

La resistencia a la corriente eléctrica del nuevo transistor es de 10 a 20 veces más baja que la de los actuales dispositivos de alta potencia basados en el silicio. También tiene un alto valor en el parámetro de cuánto voltaje puede aplicarse a un material antes de que falle.

La clave del dispositivo es la baja resistencia eléctrica del nitruro de galio, lo que produce menos pérdida de potencia por calentamiento, y su capacidad de manejar hasta 3 millones de voltios por centímetro sin que se produzca un fallo eléctrico. El silicio, el material competidor, soporta sólo unos 250.000 voltios por centímetro.

Los transistores, que fueron hechos con el equipamiento de nanofabricación de la Universidad Cornell, puede que un día energicen de todo, desde vehículos eléctricos híbridos a barcos. De hecho, la Armada Estadounidense ya financió hace más de diez años la investigación de la Universidad Cornell sobre los transistores de nitruro de galio, y actualmente aporta una parte importante de la financiación para la nueva investigación del laboratorio de Lester Eastman.

Shi y Eastman tienen una patente provisional para su dispositivo. Las empresas Velox y Freescale (establecida ésta última por Motorola), también han ayudado a financiar la investigación, con la esperanza de producir los dispositivos a escala industrial.

A continuación se puede ver una versión más ampliada del transistor:



Fuentes:
http://www.electronicafacil.net/noticias/Semiconductores/Transistor-de-alta-eficiencia-hecho-de-nitruro-de-galio/
http://www.news.cornell.edu/stories/Dec09/GaNtransistor.html

Toshiba ha presentado recientemente su última joya de la miniaturización de los dispositivos de almacenamiento. Los nuevos discos duros de Toshiba de 1.8 pulgadas parten con dimensiones muy reducidas pero capaces de almacenar hasta 320 GB de información.

Más concretamente se venderán tres modelos, de 160, 250 y los 320 GB ya comentados, todos con interfaz SATA2 y una velocidad de giro de 5.400 rpm. Manteniendo el mismo tamaño que anteriores modelos, Toshiba promete que estas nuevas unidades son energéticamente hasta un 19% más eficientes pero con el mismo rendimiento.

Es cierto que las 3.5 y 2.5 pulgadas son formatos mucho más conocidos por todos, ya que son los utilizados en ordenadores portátiles, de sobremesa y videoconsolas, principalmente. Las 1.8 pulgadas están reducidas a dispositivos mucho más concretos como ciertos reproductores de música o algunas videocámaras del mercado, con lo que seguramente dentro de algunos meses empezaremos a ver cémo estos últimos productos incrementan aún más su capacidad hasta alcanzar, en algunos modelos, los 320 GB.

Fuente: http://www.xataka.com/perifericos/disco-duro-de-toshiba-de-18-pulgadas-y-320-gb-de-capacidad